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技术文章按选型、应用、趋势与拆解分类，覆盖 IGBT、SiC 与 MOSFET。
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锂电保护电路怎么选：双 N 沟道合封 MOSFET 的价值与边界
8205 系列这类双 N 沟道合封 MOSFET 配合保护 IC，在单节/双节小容量锂电池应用中把双向切断、过放与过流保护集成进极小封装。本文讲清它的能力边界在哪里。
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BMS 中的 MOSFET 选型：四个判据与三个必须避开的坑
BMS 里的 MOSFET 是执行安全动作的开关，不是可选的保护元件。选型的核心判据是"按工作结温核算导通电阻"，而背靠背双管的串联电阻与体二极管损耗是最容易被低估的两项。
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风电变流器 IGBT 模块选型指南：四个硬指标与三个常见坑
风电变流器的选型逻辑不是"效率最优"，而是 20 年生命周期内不出问题。本文给出耐压等级、电流能力、热阻、温度与短路耐受四个硬指标的计算方法，以及三个最常见的踩坑点。
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单相组串式光伏逆变器：高温不降额与弱光高效率怎么兼得
户用光伏逆变器的发电收益，更多取决于最热时段能否不降额、最弱光照下还能不能发电。HG75T65LX100 的 175℃ 结温能力与 1.8V 饱和压降正是针对这两点。
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商用电磁炉的 IGBT 选型：耐压余量、短路保护与谐振拓扑
半桥串联谐振拓扑下，IGBT 承受的峰值电压可达母线电压两倍以上。HG30T135TPX100 以 1350V 耐压、10μs 短路耐受和软恢复二极管，同时压住谐振尖峰并保住干烧保护的动作窗口。
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静音风扇的无刷电机驱动：把噪声在电控层解决掉
风扇噪声不只来自扇叶和轴承。把 PWM 提到 20kHz 以上、压缩开关时间与换向死区，才是从驱动层面消除电磁啸叫的路径。HM8324F4X100 类的 N+P 合封器件如何做到。
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合封 MOSFET 如何提升电动工具的续航与操控响应
电动工具的续航瓶颈往往卡在导通损耗上。以 HM8324F4X100 为代表的 30V 级 N+P 沟道合封 MOSFET，用 14mΩ 级导通电阻和 11.1ns 开关速度同时换取更长续航与更跟手的操控。
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HG40T120TPX100 在逆变焊机中的应用：起弧、热管理与轻量化
针对 160~250A 逆变焊机的三个真实痛点——起弧慢、高温热失控、散热器占空间，HG40T120TPX100 以 21ns 级开通速度、175℃ 结温和 0.28K/W 热阻给出单管方案。
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HGF200MA120X100 IGBT 模块：工业变频与高频电源的效率解法
面向 800V 以上母线、10~30kHz 开关频率、散热受限的工业变频与高频电源场景，HGF200MA120X100 以 28nH 模块杂散电感和平坦的损耗-温度曲线提供效率与体积的平衡点。
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电源逆变器，IGBT单管和SiC MOS选型应用
电源逆变器里，IGBT 单管与 SiC MOSFET 各有舒适区：母线电压、开关频率与输出功率三个变量决定谁更划算。本文给出按工况选型的实操判断。
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电力电子工程师们，是否正面临高频电路设计复杂与中低频系统能效瓶颈的双重挑战？
高频带来效率与体积红利，也带来驱动、布局、EMI 的设计复杂度；中低频大功率场景又受制于导通损耗。本文拆解这两个挑战的技术根源，并给出基于 SiC MOSFET 的应对思路。
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62mm封装SiC模块产品组合，以行业优秀性能赋能下一代高功率系统
62mm 标准封装 SiC MOSFET 功率模块，覆盖 1200V/200~600A 与 1700V/200~400A 两大平台，面向光伏逆变、储能变流、工业驱动、电焊与感应加热等下一代高功率系统。