芯片失效分析
超星半导体提供专业的第三方芯片失效分析（Failure Analysis）服务：遵循「由表及里、非破坏优先」的标准化流程，综合运用 ATE 电测、X-Ray/CT 与 SAM 无损成像、FIB/SEM 剖面、EMMI/OBIRCH 电路级定位与 SIMS/XPS/AFM 材料表征，帮助客户快速定位设计缺陷、工艺异常与应用故障——覆盖功能异常、短路漏电、批量失效等场景，缩短开发周期、提升良率、降低现场失效率。
核心业务能力
电学特性验证
Electrical Characterization
ATE 测试、探针台测量、I-V 曲线分析
非破坏性检测
NDA
X-Ray/CT 2D/3D 成像、红外热成像、超声波扫描（SAM）
破坏性物理分析
DPA
化学/激光开封、FIB/SEM 剖面、EDS 元素分析
电路级失效定位
EMMI / OBIRCH
光子发射显微、激光诱导阻抗变化、电子束探针
材料与表面分析
SIMS / XPS / AFM
表面与成分表征
典型分析流程
由表及里、先非破坏后破坏
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失效复现与电学定位
基于失效背景与 ATE 测试，复现故障并锁定异常电性参数，缩小失效范围。
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非破坏性内部检测
通过 X-Ray CT、热成像、SAM 等技术，无损检测封装内部结构、热分布与界面缺陷。
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微观物理分析与材料表征
精准开封、FIB 剖面制备，SEM/TEM 观察纳米级缺陷，EDS/SIMS 分析成分与污染。
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电路与器件级精确定位
应用 EMMI、OBIRCH 等高精度定位技术，在晶体管或电路节点层面识别漏电、短路、断路。
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根因诊断与改进建议
结合电学-物理-材料数据，构建失效机理模型（电迁移、HCI、ESD 损伤等），提供设计、工艺或应用端改进方案。
技术特色与优势
- 高端设备平台 配备双束 FIB、高分辨率 SEM、3D X-Ray、全自动探针台等先进设备。
- 跨工艺节点经验 涵盖从成熟制程到先进封装（Flip-Chip, SiP, Fan-Out）的失效分析案例。
- 工程专家团队 由半导体物理、器件工程、材料科学背景的资深工程师主导项目。
- 分析流程标准化 严格执行数据交叉验证与样品保护流程，确保分析结果准确可靠。
典型应用场景
研发阶段
功能异常、参数漂移、可靠性测试失效
量产与封装
焊球空洞、键合线断裂、分层、污染相关失效
现场应用
过压/过流损伤、ESD/EOS 事件、热疲劳失效
可靠性提升
HTOL、ELFR 等测试中的早期失效分析与机理研究
为什么选择我们？
我们致力于将失效分析转化为产品竞争力的关键支撑。通过精准定位、快速响应与深度诊断，帮助客户缩短开发周期、提高良率、降低现场失效率，为芯片的全生命周期质量保驾护航。