技术社区
技术文章按选型、应用、趋势与拆解分类，覆盖 IGBT、SiC 与 MOSFET。
可再选择另一个维度，查看「能源」与它的交叉内容。
-
BMS 中的 MOSFET 选型：四个判据与三个必须避开的坑
BMS 里的 MOSFET 是执行安全动作的开关，不是可选的保护元件。选型的核心判据是"按工作结温核算导通电阻"，而背靠背双管的串联电阻与体二极管损耗是最容易被低估的两项。
-
风电变流器 IGBT 模块选型指南：四个硬指标与三个常见坑
风电变流器的选型逻辑不是"效率最优"，而是 20 年生命周期内不出问题。本文给出耐压等级、电流能力、热阻、温度与短路耐受四个硬指标的计算方法，以及三个最常见的踩坑点。
-
单相组串式光伏逆变器：高温不降额与弱光高效率怎么兼得
户用光伏逆变器的发电收益，更多取决于最热时段能否不降额、最弱光照下还能不能发电。HG75T65LX100 的 175℃ 结温能力与 1.8V 饱和压降正是针对这两点。