面向工业、能源及驱动应用的功率半导体解决方案的领先供应商。
资料下载 快捷咨询 技术社区 English

IGBT

按参数筛选

封装

集电极-发射极电压 (V)

集电极电流 (A)

导通压降 (V)

正向压降 (V)

替代参考

符合条件: 30 清除
推荐 热门
每页 8 16 25 48
HG50T65LX100 分类：IGBT单管封装：TO-247-3L
集电极-发射极电压(V)
650V
集电极电流(A)
50A
导通压降(V)
1.58V
正向压降(V)
1.63V
导通损耗(mJ)
关断损耗(mJ)
最大结温(℃)
替代参考
IKW50N65EH5
索取规格书 在线询价
申请样品
HG180U120LPX100 分类：IGBT单管封装：TO-247PLUS-4L
集电极-发射极电压(V)
1200V
集电极电流(A)
180A
导通压降(V)
1.66V
正向压降(V)
2.87V
导通损耗(mJ)
关断损耗(mJ)
最大结温(℃)
替代参考
IKQ140N120CH7
索取规格书 在线询价
申请样品
HG120T120LPX100 分类：IGBT单管封装：TO-247PLUS-4L
集电极-发射极电压(V)
1200V
集电极电流(A)
120A
导通压降(V)
1.7V
正向压降(V)
1.75V
导通损耗(mJ)
关断损耗(mJ)
最大结温(℃)
替代参考
IKQ120N120CS7
索取规格书 在线询价
申请样品
HG180U120LSX100 分类：IGBT单管封装：TO-247PLUS-3L
集电极-发射极电压(V)
1200V
集电极电流(A)
180A
导通压降(V)
1.77V
正向压降(V)
2.87V
导通损耗(mJ)
关断损耗(mJ)
最大结温(℃)
替代参考
IKQ140N120CH7
索取规格书 在线询价
申请样品
HG120T120LSX100 分类：IGBT单管封装：TO-247PLUS-3L
集电极-发射极电压(V)
1200V
集电极电流(A)
120A
导通压降(V)
1.68V
正向压降(V)
1.77V
导通损耗(mJ)
关断损耗(mJ)
最大结温(℃)
替代参考
IKQ120N120CS7
索取规格书 在线询价
申请样品
HG75U120LSX100 分类：IGBT单管封装：TO-247PLUS-3L
集电极-发射极电压(V)
1200V
集电极电流(A)
75A
导通压降(V)
2.11V
正向压降(V)
1.93V
导通损耗(mJ)
关断损耗(mJ)
最大结温(℃)
替代参考
IKW75N120CH3
索取规格书 在线询价
申请样品
HG75T120LX100 分类：IGBT单管封装：TO-247-3L
集电极-发射极电压(V)
1200V
集电极电流(A)
75A
导通压降(V)
1.75V
正向压降(V)
1.8V
导通损耗(mJ)
关断损耗(mJ)
最大结温(℃)
替代参考
STGYA75H120DF2
索取规格书 在线询价
申请样品
HG50T120LX100 分类：IGBT单管封装：TO-247-3L
集电极-发射极电压(V)
1200V
集电极电流(A)
50A
导通压降(V)
2.15V
正向压降(V)
1.82V
导通损耗(mJ)
关断损耗(mJ)
最大结温(℃)
替代参考
NGTB50N120FL2WG
索取规格书 在线询价
申请样品

IGBT 参数档位一览

封装

取值 型号数
TO-3PN 3
TO-220 2
TO-220F 4
TO-247-3L 12
TO-247PLUS-3L 3
TO-247PLUS-4L 2
TO-252 2
TO-263 2

替代参考

取值 型号数
IHW15N120E1 1
IHW20N65R5 1
IHW20N120 1
IHW30N65R5 1
IHW40N65R5 1
IKQ120N120CS7 2
IKQ140N120CH7 2
IKW50N65EH5 1
IKW75N65EH5 2
IKW75N120CH3 1
NGTB50N120FL2WG 1
STGW25M120DF3 1