高压MOSFET (≥650V) 产品与规格书

HMP7N65FX100 分类：高压MOSFET (≥650V)封装：TO-252

极性: N
漏源电压(V): 650V
连续漏极电流(A): 7A
导通电阻@10V: 1060mΩ
阈值电压(V): 2V
工艺: Planar
起订量: 2500

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HMP4N65FX100 分类：高压MOSFET (≥650V)封装：TO-252

极性: N
漏源电压(V): 650V
连续漏极电流(A): 4A
导通电阻@10V: 2100mΩ
阈值电压(V): 2V
工艺: Planar
起订量: 2500

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HMP7N65TFX100 分类：高压MOSFET (≥650V)封装：TO-220F

极性: N
漏源电压(V): 650V
连续漏极电流(A): 7A
导通电阻@10V: 1060mΩ
阈值电压(V): 2V
工艺: Planar
起订量: 50

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HMP4N65TFX100TO-220F 分类：高压MOSFET (≥650V)封装：TO-220F

极性: N
漏源电压(V): 650V
连续漏极电流(A): 4A
导通电阻@10V: 2100mΩ
阈值电压(V): 2V
工艺: Planar
起订量: 50

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HMJ20N65TFX100 分类：高压MOSFET (≥650V)封装：TO-220F

极性: N
漏源电压(V): 650V
连续漏极电流(A): 20A
导通电阻@10V: 170mΩ
阈值电压(V): 2V
工艺: SJ
起订量: 50

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HMP3N150LX100 分类：高压MOSFET (≥650V)封装：TO-252

极性: N
漏源电压(V): 1500V
连续漏极电流(A): 3A
导通电阻@10V: 5800mΩ
阈值电压(V): 2.5V
工艺: Planar
起订量: 2500

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HMP9N90LX100 分类：高压MOSFET (≥650V)封装：TO-247

极性: N
漏源电压(V): 900V
连续漏极电流(A): 9A
导通电阻@10V: 920mΩ
阈值电压(V): 3V
工艺: Planar
起订量: 50

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HMP6N90LX100 分类：高压MOSFET (≥650V)封装：TO-247

极性: N
漏源电压(V): 900V
连续漏极电流(A): 6A
导通电阻@10V: 1800mΩ
阈值电压(V): 3V
工艺: Planar
起订量: 50

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HMP9N90TFX100 分类：高压MOSFET (≥650V)封装：TO-220F

极性: N
漏源电压(V): 900V
连续漏极电流(A): 9A
导通电阻@10V: 920mΩ
阈值电压(V): 3V
工艺: Planar
起订量: 50

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HMP8N90TFX100 分类：高压MOSFET (≥650V)封装：TO-220F

极性: N
漏源电压(V): 900V
连续漏极电流(A): 8A
导通电阻@10V: 1550mΩ
阈值电压(V): 2V
工艺: Planar
起订量: 50

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HMP6N90TFX100 分类：高压MOSFET (≥650V)封装：TO-220F

极性: N
漏源电压(V): 900V
连续漏极电流(A): 6A
导通电阻@10V: 1600mΩ
阈值电压(V): 2V
工艺: Planar
起订量: 50

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HMP9N90TX100 分类：高压MOSFET (≥650V)封装：TO-220

极性: N
漏源电压(V): 900V
连续漏极电流(A): 9A
导通电阻@10V: 850mΩ
阈值电压(V): 3V
工艺: Planar
起订量: 50

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HMP6N90TX100 分类：高压MOSFET (≥650V)封装：TO-220

极性: N
漏源电压(V): 900V
连续漏极电流(A): 6A
导通电阻@10V: 1900mΩ
阈值电压(V): 2V
工艺: Planar
起订量: 50

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HMP4N80FX100 分类：高压MOSFET (≥650V)封装：TO-252

极性: N
漏源电压(V): 800V
连续漏极电流(A): 4A
导通电阻@10V: 3400mΩ
阈值电压(V): 2V
工艺: Planar
起订量: 2500

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HMP4N80HX100 分类：高压MOSFET (≥650V)封装：TO-251

极性: N
漏源电压(V): 800V
连续漏极电流(A): 4A
导通电阻@10V: 3400mΩ
阈值电压(V): 3V
工艺: Planar
起订量: 75

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HMP20N80TFX100 分类：高压MOSFET (≥650V)封装：TO-220F

极性: N
漏源电压(V): 800V
连续漏极电流(A): 20A
导通电阻@10V: 230mΩ
阈值电压(V): 2.5V
工艺: Planar
起订量: 50

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取值	型号数
28–99	15
100–170	15
180–260	15
262–350	18
365–490	15
500–670	16
680–850	15
860–1060	15
1200–5800	26

取值	型号数
Planar	63
SJ	87

取值	型号数
DFN8x8	6
TO-220	23
TO-220F	52
TO-247	19
TO-247-4L	2
TO-251	12
TO-252	25
TO-263	9
TOLL	2

高压MOSFET (≥650V)

高压MOSFET (≥650V) 参数档位一览

封装

导通电阻@10V

工艺