Mosfet产品当下主流制造工艺
Mosfet产品有几种制造工艺,如: trench 沟槽, 深沟槽, 平面, 多层外延, 超结等, 了解它们有哪些区别, 应用上有什么差异与优劣势, 代表厂家有哪些?
平面（Planar）工艺
最早的功率 MOSFET 结构，栅极穿过多层外延形成的漂移区建立导电沟道。工艺成熟、晶圆成本低、雪崩耐量与短路鲁棒性好，但单元密度低、导通电阻偏大。如今主要留在高压（500V 以上）与对鲁棒性要求苛刻的场景，如照明驱动、工业辅助电源。
沟槽（Trench）工艺
把栅极刻进硅片表面的沟槽里，沟道垂直排列，单元密度大幅提高，导通电阻显著低于平面结构，是目前中低压（30~200V）的绝对主流：手机快充、电池保护、电动工具、车载低压电器几乎全部采用沟槽器件。代价是栅氧化层可靠性设计门槛更高、开关 dv/dt 更快，需要更好的驱动与布局配合。
深沟槽与屏蔽栅
在沟槽基础上加深槽深、引入屏蔽电极或分割电极，进一步压低栅电荷（Qg）与米勒电荷，兼顾低导通电阻与低开关损耗，是高频 DC-DC（48V 服务器电源、通信电源等）偏爱的结构。
超结（Super Junction）工艺
针对高压 MOSFET 的范式革新：在漂移区植入交替排布的 P/N 柱，打破「耐压与导通电阻的平方律」约束，600~900V 区间导通电阻远低于同耐压平面器件。开关电源、光伏逆变、充电桩 PFC 级是它的主场；代价是工艺步骤多、体二极管反向恢复特性一般，硬开关大电流场景需谨慎评估。
多层外延
在重掺杂衬底上逐层生长不同掺杂浓度的外延层，用于精细控制耐压与导通电阻的平衡，常见于高压器件与定制化需求，也是提升晶圆利用率、降低成本的工艺手段之一。
代表厂家一览
- 高压平面/沟槽：英飞凌（Infineon）、安森美（onsemi）、意法半导体（ST）、罗姆（ROHM）；
- 超结：英飞凌、安森美、东芝；国内华润微、东微半导已规模量产；
- 中低压沟槽：安世半导体（Nexperia）、Vishay；国内士兰微、新洁能、华润微覆盖广泛；
- 车规级沟槽：英飞凌、安森美、ST 为主，国内厂商正在加速导入。
怎么选
工艺没有绝对优劣：中低压看单元密度（沟槽系），高压高频看超结，高压高鲁棒看平面；采购层面再叠加封装、车规认证与供应稳定性综合评估。拿不准时把拓扑、开关频率、母线电压三个参数交给我们的选型支持，按实际工况推荐最合适的工艺路线。