技术社区
功率半导体行业的技术走向、路线演进与市场观察。
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电源逆变器，IGBT单管和SiC MOS选型应用
电源逆变器里，IGBT 单管与 SiC MOSFET 各有舒适区：母线电压、开关频率与输出功率三个变量决定谁更划算。本文给出按工况选型的实操判断。
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62mm封装SiC模块产品组合，以行业优秀性能赋能下一代高功率系统
62mm 标准封装 SiC MOSFET 功率模块，覆盖 1200V/200~600A 与 1700V/200~400A 两大平台，面向光伏逆变、储能变流、工业驱动、电焊与感应加热等下一代高功率系统。
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SIC肖特基二极管,如何提升开关电源设计能效和可靠性
新一代1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管采用混合PIN 肖特基(MPS)结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。
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碳化硅在“新基建”领域的典型应用
碳化硅属于第三代半导体材料之一，具备大功率、低损耗、高可靠、低散热等特点，可应用于1200伏特以上的高压、严苛环境，可广泛应用于风电、铁路等大型交通工具，及太阳能逆变器、不断电系统、智慧电网、电源供应器等高功率应用领域。碳化硅应用涵盖了新基建涉及的绝大部分领域。