功率器件设计工程师
本科及以上
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负责 MOSFET、IGBT、SiC 等功率器件的结构设计、仿真与流片验证。工作地点：珠海。
岗位职责
- 负责 MOSFET、IGBT、SiC 二极管/MOSFET 等功率半导体器件的结构设计与参数设计；
- 使用 TCAD（Sentaurus / Silvaco）完成器件电学特性仿真与结构优化；
- 制定版图设计规则，配合版图工程师完成器件版图绘制与检查；
- 制定流片方案，跟踪晶圆制造过程，完成首轮流片的电学表征与数据分析；
- 分析器件失效机理（击穿、导通损耗、热失效、可靠性），提出改进方案；
- 编写设计文档、仿真报告与测试规范，为应用团队提供器件参数支持。
任职要求
- 本科及以上学历，微电子、半导体物理、电子科学与技术、材料等相关专业；
- 2 年以上功率器件设计经验；有功率 MOSFET、IGBT 或 SiC 器件量产经验者优先；
- 熟悉功率器件工作原理与关键参数（Vth、Rds(on)、Vce(sat)、Eon/Eoff、Qrr、Vf 等）；
- 熟练使用 TCAD 仿真工具，掌握器件电学参数提取与分析方法；
- 熟悉功率器件制造工艺流程（光刻、刻蚀、注入、钝化、金属化）者优先；
- 具备良好的技术文档写作能力与团队协作能力。
工作地点：广东省珠海市