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IGBT模块

按参数筛选

拓扑

封装

集射极电压 (V)1

集电极电流 (A)

饱和压降 (V)

导通损耗 (mJ)

关断损耗 (mJ)

正向压降 (V)

符合条件: 11 清除
已选 集射极电压1700× 清除全部
推荐 热门
每页 8 16 25 48

当前为筛选结果，共 11 个匹配型号

HGS75MG170X100 分类：IGBT模块封装：EconoPIM3
拓扑
Six-Pack
集射极电压(V)
1700
集电极电流(A)
75
饱和压降(V)
1.9
正向压降(V)
1.6
导通损耗(mJ)
18.2
关断损耗(mJ)
14.8
最高结温(℃)
175
替代参考
HGF450MP170X100 分类：IGBT模块封装：EconoDUAL3
拓扑
Half-Bridge
集射极电压(V)
1700
集电极电流(A)
450
饱和压降(V)
1.97
正向压降(V)
2.18
导通损耗(mJ)
140
关断损耗(mJ)
110
最高结温(℃)
175
替代参考
FF450R17ME4
HGF600MP170X100 分类：IGBT模块封装：EconoDUAL3
拓扑
Half-Bridge
集射极电压(V)
1700
集电极电流(A)
600
饱和压降(V)
2
正向压降(V)
1.85
导通损耗(mJ)
135.5
关断损耗(mJ)
103.8
最高结温(℃)
175
替代参考
FF600R17ME4
HGF300MP170X100 分类：IGBT模块封装：EconoDUAL3
拓扑
Half-Bridge
集射极电压(V)
1700
集电极电流(A)
300
饱和压降(V)
1.98
正向压降(V)
2.07
导通损耗(mJ)
65.9
关断损耗(mJ)
46.1
最高结温(℃)
175
替代参考
FF300R17ME4
HGF400MB170X100 分类：IGBT模块封装：62mm
拓扑
Half-Bridge
集射极电压(V)
1700
集电极电流(A)
400
饱和压降(V)
2.05
正向压降(V)
1.8
导通损耗(mJ)
67.5
关断损耗(mJ)
48.2
最高结温(℃)
150
替代参考
FF400R17KE4
HGF300MB170X100 分类：IGBT模块封装：62mm
拓扑
Half-Bridge
集射极电压(V)
1700
集电极电流(A)
300
饱和压降(V)
2.07
正向压降(V)
2.03
导通损耗(mJ)
59.94
关断损耗(mJ)
57.48
最高结温(℃)
150
替代参考
FF300R17KE4
HGF200MB170X100 分类：IGBT模块封装：62mm
拓扑
Half-Bridge
集射极电压(V)
1700
集电极电流(A)
200
饱和压降(V)
1.93
正向压降(V)
2.07
导通损耗(mJ)
31.88
关断损耗(mJ)
38.04
最高结温(℃)
150
替代参考
FF200R17KE4
HGF150MB170X100 分类：IGBT模块封装：62mm
拓扑
Half-Bridge
集射极电压(V)
1700
集电极电流(A)
150
饱和压降(V)
1.93
正向压降(V)
2.18
导通损耗(mJ)
29.92
关断损耗(mJ)
28.64
最高结温(℃)
150
替代参考
FF150R17KE4