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EconoDUAL3

IGBT模块 HGF450MP170X100

HGF450MP170X100 · IGBT模块。

拓扑
Half-Bridge
封装
EconoDUAL3
集射极电压(V)
1700
集电极电流(A)
450
饱和压降(V)
1.97
导通损耗(mJ)
140
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型号:HGF450MP170X100

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产品简介

HGF450MP170X100 · IGBT模块。

经站内规格数据核对的关键参数包括:封装 EconoDUAL3、集电极电流(A) 450、拓扑 Half-Bridge、集射极电压(V) 1700。

已核实的典型应用包括:电机驱动、储能、工业电源。

可在本页查阅该型号的有效规格书,完整技术数据以文档内容为准。

请在本页留下具体工况或样品需求,以便继续提供选型与应用支持。

规格参数

拓扑Half-Bridge
封装EconoDUAL3
集射极电压(V)1700
集电极电流(A)450
饱和压降(V)1.97
导通损耗(mJ)140
关断损耗(mJ)110
正向压降(V)2.18
最高结温(℃)175
替代参考FF450R17ME4

规格书

HGF450MP170X100_datasheet_V1.0.pdf HGF450MP170X100 打开 PDF
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选型指南

替代与等效型号

产品类别 型号 品牌 封装 典型应用
IGBT模块 FF450R17ME4 Infineon 待补 待补

替代前请按 datasheet 核对引脚定义与安装尺寸;上表仅作参考,最终以规格书为准。

常见问题

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