IGBT单管产品与规格书 | 超星半导体

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HG50T65LX100 分类：IGBT单管封装：TO-247-3L

集电极-发射极电压(V): 650V
集电极电流(A): 50A
导通压降(V): 1.58V
正向压降(V): 1.63V
导通损耗(mJ)
关断损耗(mJ)
最大结温(℃)
替代参考: IKW50N65EH5

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HG30T135TPX100 分类：IGBT单管封装：TO-3PN

集电极-发射极电压(V): 1350V
集电极电流(A): 30A
导通压降(V): 2.3V
正向压降(V): 2.4V
导通损耗(mJ)
关断损耗(mJ)
最大结温(℃)
替代参考

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HG40T120TPX100 分类：IGBT单管封装：TO-3PN

集电极-发射极电压(V): 1200V
集电极电流(A): 40A
导通压降(V): 2.3V
正向压降(V): 2V
导通损耗(mJ)
关断损耗(mJ)
最大结温(℃)
替代参考

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HG40T65TPX100 分类：IGBT单管封装：TO-3PN

集电极-发射极电压(V): 650V
集电极电流(A): 40A
导通压降(V): 2.3V
正向压降(V): 2.4V
导通损耗(mJ)
关断损耗(mJ)
最大结温(℃)
替代参考

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HG20T65SX100 分类：IGBT单管封装：TO-263

集电极-发射极电压(V): 650V
集电极电流(A): 20A
导通压降(V): 1.6V
正向压降(V): 1.5V
导通损耗(mJ)
关断损耗(mJ)
最大结温(℃)
替代参考

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HG10T65SX100 分类：IGBT单管封装：TO-263

集电极-发射极电压(V): 650V
集电极电流(A): 10A
导通压降(V): 1.8V
正向压降(V): 1.5V
导通损耗(mJ)
关断损耗(mJ)
最大结温(℃)
替代参考

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HG10T65FX100 分类：IGBT单管封装：TO-252

集电极-发射极电压(V): 650V
集电极电流(A): 10A
导通压降(V): 1.6V
正向压降(V): 1.7V
导通损耗(mJ)
关断损耗(mJ)
最大结温(℃)
替代参考

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HG6T60FX100 分类：IGBT单管封装：TO-252

集电极-发射极电压(V): 650V
集电极电流(A): 6A
导通压降(V): 1.75V
正向压降(V): 1.45V
导通损耗(mJ)
关断损耗(mJ)
最大结温(℃)
替代参考

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IGBT单管参数档位一览

封装

取值	型号数
TO-3PN	3
TO-220	2
TO-220F	4
TO-247-3L	12
TO-247PLUS-3L	3
TO-247PLUS-4L	2
TO-252	2
TO-263	2

替代参考

取值	型号数
IHW15N120E1	1
IHW20N65R5	1
IHW20N120	1
IHW30N65R5	1
IHW40N65R5	1
IKQ120N120CS7	2
IKQ140N120CH7	2
IKW50N65EH5	1
IKW75N65EH5	2
IKW75N120CH3	1
NGTB50N120FL2WG	1
STGW25M120DF3	1