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HMJ20N65SX100 高压MOSFET (≥650V) TO-263

高压MOSFET (≥650V) HMJ20N65SX100

产品类别
高压MOSFET (≥650V)
类目
≥650
封装
TO-263
极性
N
漏源电压
650V
连续漏极电流
20A
导通电阻@10V
167mΩ
阈值电压
3.4V
工艺
SJ
起订量
10
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产品介绍

HMJ20N65SX100-≥650,
PKG: TO-263, Polarity: N, VDS: 650V, lD: 20A, RDS@10V: 167mΩ, VGS(th): 3.4V, VGS: ±30V.
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