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IGBT模块

按参数筛选

拓扑

封装

集射极电压 (V)1

集电极电流 (A)

饱和压降 (V)

导通损耗 (mJ)

关断损耗 (mJ)

正向压降 (V)

符合条件: 11 清除
已选 集射极电压1700× 清除全部
推荐 热门
每页 8 16 25 48

当前为筛选结果，共 11 个匹配型号

HGF150MA170X100 分类：IGBT模块封装：34mm
拓扑
Half-Bridge
集射极电压(V)
1700
集电极电流(A)
150
饱和压降(V)
1.7
正向压降(V)
1.7
导通损耗(mJ)
36.27
关断损耗(mJ)
34.48
最高结温(℃)
150
替代参考
2MBI150XAA170-50
HGF100MA170X100 分类：IGBT模块封装：34mm
拓扑
Half-Bridge
集射极电压(V)
1700
集电极电流(A)
100
饱和压降(V)
1.8
正向压降(V)
2.05
导通损耗(mJ)
13.13
关断损耗(mJ)
14.47
最高结温(℃)
150
替代参考
2MBI100XAA170-50
HGF75MA170X100 分类：IGBT模块封装：34mm
拓扑
Half-Bridge
集射极电压(V)
1700
集电极电流(A)
75
饱和压降(V)
1.8
正向压降(V)
1.8
导通损耗(mJ)
14.3
关断损耗(mJ)
10.43
最高结温(℃)
150
替代参考
2MBI75XAA170-50