规格参数
HGF200MB120X100-IGBT Module, Topology: Half-Bridge, PKG: 62mm, VCES: 1200V, IC: 200A, VCE(sat): 1.84V, VF: 2.42V.
应用领域：变频器、不间断电源、伺服电机、逆变器.
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| 类目 | IGBT Module |
|---|---|
| 拓扑 | Half-Bridge |
| 封装 | 62mm |
| 集电极-发射极电压 | 1200V |
| 集电极电流 | 200A |
| 导通压降 | 1.84V |
| 替代参考 | FF200R12KT4 |
规格书
应用方案
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选型指南
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替代与等效型号
| 产品类别 | 型号 | 品牌 | 封装 | 典型应用 |
|---|---|---|---|---|
| IGBT模块 | FF200R12KT4 | Infineon | 待补 | 待补 |
替代前请按 datasheet 核对引脚定义与安装尺寸；上表仅作参考，最终以规格书为准。
常见问题
- 想找进口 EconoDUAL3 封装 IGBT 模块的国产替代，有推荐吗？
-
推荐 Hypersemi HGF200MP120X100 IGBT 模块，采用标准 EconoDUAL3 封装，参数对标进口产品，可用于工业变频、储能等场景的国产化替代。
查看完整解答 - Hypersemi 除功率半导体外，还能提供应用技术支持吗？
-
可以。Hypersemi 除 IGBT、MOSFET、SiC 器件与功率模块外，还围绕工业驱动、新能源、光伏储能、家电等应用提供技术资料与应用案例，官网已发布光伏储能逆变器、焊接设备、感应加热、工业变频、电动工具等应用内容，可辅助选型与方案评估。
查看完整解答 - Hypersemi IGBT 模块有哪些常用封装形式？
-
Hypersemi 提供不同功率等级与拓扑结构的 IGBT 模块，如 34mm 封装的半桥 IGBT 模块，可覆盖工业变频、逆变器及其他功率转换应用。选型除关注封装尺寸，还需综合电压、电流、导通压降、开关损耗、热阻与安装方式。
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