合封MOSFET 产品与规格书

HM15P018PBX100 分类：合封MOSFET封装：PDFN3x3

极性: P+P
漏源电压: -18V
连续漏极电流(A): -15A
导通电阻@4.5V: 13mΩ
阈值电压(V): -0.7V
起订量: 5000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM20P02PBX100 分类：合封MOSFET封装：PDFN3x3

极性: P+P
漏源电压: -20V
连续漏极电流(A): -20A
导通电阻@4.5V: 17mΩ
阈值电压(V): -0.7V
起订量: 5000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM4953P8X100 分类：合封MOSFET封装：SOP-8

极性: P+P
漏源电压: -30V
连续漏极电流(A): -5.3A
导通电阻@4.5V: 54mΩ
阈值电压(V): -1.5V
起订量: 2500
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM7P03P8X100 分类：合封MOSFET封装：SOP-8

极性: P+P
漏源电压: -30V
连续漏极电流(A): -7A
导通电阻@4.5V: 38mΩ
阈值电压(V): -1.4V
起订量: 2500
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM9P03P8X100 分类：合封MOSFET封装：SOP-8

极性: P+P
漏源电压: -30V
连续漏极电流(A): -9A
导通电阻@4.5V: 15.5mΩ
阈值电压(V): -1.5V
起订量: 2500
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM9P03PBX100 分类：合封MOSFET封装：PDFN3x3

极性: P+P
漏源电压: -30V
连续漏极电流(A): -9A
导通电阻@4.5V: 30mΩ
阈值电压(V): -1.5V
起订量: 5000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM26P03DPBX100 分类：合封MOSFET封装：PDFN3x3

极性: P+P
漏源电压: -30V
连续漏极电流(A): -26A
导通电阻@4.5V: 15mΩ
阈值电压(V): -1.6V
起订量: 5000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM8P04DP8X100 分类：合封MOSFET封装：SOP-8

极性: P+P
漏源电压: -40V
连续漏极电流(A): -8A
导通电阻@4.5V: 20mΩ
阈值电压(V): -1.9V
起订量: 2500
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

BSS84DW 分类：合封MOSFET封装：SOT-363

极性: P+P
漏源电压: -50V
连续漏极电流(A): -0.18A
导通电阻@4.5V: 3200mΩ
阈值电压(V): -2V
起订量: 3000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM8616F4X100 分类：合封MOSFET封装：TO-252-4L

极性: N+P
漏源电压: 60;-60V
连续漏极电流(A): 16;-16A
导通电阻@4.5V: 13mΩ;75mΩ
阈值电压(V): 2V;-1.8V
起订量: 2500
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM4559P8X100 分类：合封MOSFET封装：SOP-8

极性: N+P
漏源电压: 60;-60V
连续漏极电流(A): 4.5;-3.5A
导通电阻@4.5V
阈值电压(V): 2.1V;-3V
起订量: 2500
替代参考: FDS4559

索取规格书在线询价

申请样品

HM4559P8Y100 分类：合封MOSFET封装：SOP-8

极性: N+P
漏源电压: 60;-60V
连续漏极电流(A): 4.5;-3.5A
导通电阻@4.5V
阈值电压(V): 2.1V;-3V
起订量: 2500
替代参考: BSO615C G

索取规格书在线询价

申请样品

HM8425F4X100 分类：合封MOSFET封装：TO-252-4L

极性: N+P
漏源电压: 40;-40V
连续漏极电流(A): 30;-28A
导通电阻@4.5V: 24mΩ;42mΩ
阈值电压(V): 1.9V;-1.9V
起订量: 2500
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM4025F4X100 分类：合封MOSFET封装：TO-252-4L

极性: N+P
漏源电压: 40;-40V
连续漏极电流(A): 30;-28A
导通电阻@4.5V: 18mΩ;32mΩ
阈值电压(V): 1.6V;-1.7V
起订量: 2500
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM4614P8Y100 分类：合封MOSFET封装：SOP-8

极性: N+P
漏源电压: 40;-40V
连续漏极电流(A): 8;-8A
导通电阻@4.5V: 26mΩ;45mΩ
阈值电压(V): 1.9V;-1.9V
起订量: 2500
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM4614P8X100 分类：合封MOSFET封装：SOP-8

极性: N+P
漏源电压: 40;-40V
连续漏极电流(A): 8;-7A
导通电阻@4.5V: 20mΩ;37mΩ
阈值电压(V): 1.5V;-1.5V
起订量: 2500
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM4614P8Z100 分类：合封MOSFET封装：SOP-8

极性: N+P
漏源电压: 40;-40V
连续漏极电流(A): 6;-6A
导通电阻@4.5V: 30mΩ;62mΩ
阈值电压(V): 1.7V;-1.7V
起订量: 2500
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM40D04PDX100 分类：合封MOSFET封装：PDFN5x6

极性: N+P
漏源电压: 40;-40V
连续漏极电流(A): 40;-40A
导通电阻@4.5V
阈值电压(V): 1.7V-1.7V
起订量: 5000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM30D04PDX100 分类：合封MOSFET封装：PDFN5x6

极性: N+P
漏源电压: 40;-40V
连续漏极电流(A): 30;-30A
导通电阻@4.5V
阈值电压(V): 1.7V;-1.5V
起订量: 5000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM8324F4X100 分类：合封MOSFET封装：TO-252-4L

极性: N+P
漏源电压: 30;-30V
连续漏极电流(A): 18;-14A
导通电阻@4.5V: 15mΩ;30mΩ
阈值电压(V): 1.5V;-1.5V
起订量: 2500
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM8320F4X100 分类：合封MOSFET封装：TO-252-4L

极性: N+P
漏源电压: 30;-30V
连续漏极电流(A): 18;-14A
导通电阻@4.5V: 19mΩ;39mΩ
阈值电压(V): 1.5V;-1.5V
起订量: 2500
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM3024F4X100 分类：合封MOSFET封装：TO-252-4L

极性: N+P
漏源电压: 30;-30V
连续漏极电流(A): 18;-14A
导通电阻@4.5V: 15mΩ;33mΩ
阈值电压(V): 1.5V;-1.5V
起订量: 2500
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM8310F4X100 分类：合封MOSFET封装：TO-252-4L

极性: N+P
漏源电压: 30;-30V
连续漏极电流(A): 14;-14A
导通电阻@4.5V: 33mΩ;35mΩ
阈值电压(V): 1.6V;-1.5V
起订量: 2500
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM4616X100 分类：合封MOSFET封装：SOT-23-6L

极性: N+P
漏源电压: 30;-30V
连续漏极电流(A): 4;-3.5A
导通电阻@4.5V: 31mΩ;58mΩ
阈值电压(V): 1.5V;-1.5V
起订量: 3000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM4616P8Y100 分类：合封MOSFET封装：SOP-8

极性: N+P
漏源电压: 30;-30V
连续漏极电流(A): 8.5;-7A
导通电阻@4.5V: 18mΩ;39mΩ
阈值电压(V): 1.5V;-1.5V
起订量: 2500
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM4616P8X100 分类：合封MOSFET封装：SOP-8

极性: N+P
漏源电压: 30;-30V
连续漏极电流(A): 7;-8.5A
导通电阻@4.5V: 29mΩ;35mΩ
阈值电压(V): 1.5V;-1.5V
起订量: 2500
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM4606P8X100 分类：合封MOSFET封装：SOP-8

极性: N+P
漏源电压: 30;-30V
连续漏极电流(A): 7.2;-6.8A
导通电阻@4.5V: 24.8mΩ;55mΩ
阈值电压(V): 1.5V;-1.5V
起订量: 2500
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM4616P8Z100 分类：合封MOSFET封装：SOP-8

极性: N+P
漏源电压: 30;-30V
连续漏极电流(A): 6;-5A
导通电阻@4.5V: 28mΩ;55mΩ
阈值电压(V): 1.5V;-1.5V
起订量: 2500
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM2312X100 分类：合封MOSFET封装：SOT-23-6L

极性: N+P
漏源电压: 20;-20V
连续漏极电流(A): 4;-2.5A
导通电阻@4.5V: 27mΩ;115mΩ
阈值电压(V): 0.7V;-0.7V
起订量: 3000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM8212X100 分类：合封MOSFET封装：SOT-23-6L

极性: N+P
漏源电压: 20;-20V
连续漏极电流(A): 12;-8A
导通电阻@4.5V: 16.5mΩ;36mΩ
阈值电压(V): 0.7V;-0.7V
起订量: 3000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM2606P8X100 分类：合封MOSFET封装：SOP-8

极性: N+P
漏源电压: 20;-20V
连续漏极电流(A): 6.8;-7A
导通电阻@4.5V: 12mΩ;19mΩ
阈值电压(V): 0.7V;-0.7V
起订量: 2500
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM8215PBX100 分类：合封MOSFET封装：PDFN3x3

极性: N+P
漏源电压: 20;-20V
连续漏极电流(A): 20;-20A
导通电阻@4.5V: 9mΩ;17.5mΩ
阈值电压(V): 0.7V;-0.7V
起订量: 5000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

2N7002DW 分类：合封MOSFET封装：SOT-363

极性: N+N
漏源电压: 60V
连续漏极电流(A): 0.3A
导通电阻@4.5V: 2100mΩ
阈值电压(V): 1.9V
起订量: 3000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM8N06P8X100 分类：合封MOSFET封装：SOP-8

极性: N+N
漏源电压: 60V
连续漏极电流(A): 8A
导通电阻@4.5V: 14mΩ
阈值电压(V): 1.5V
起订量: 2500
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM4828P8X100 分类：合封MOSFET封装：SOP-8

极性: N+N
漏源电压: 60V
连续漏极电流(A): 4.5A
导通电阻@4.5V
阈值电压(V): 2.1V
起订量: 2500
替代参考: IRF7351

索取规格书在线询价

申请样品

HM20N06PDX100 分类：合封MOSFET封装：PDFN5x6

极性: N+N
漏源电压: 60V
连续漏极电流(A): 20A
导通电阻@4.5V
阈值电压(V): 1.7V
起订量: 5000
替代参考: IPG20N06S2L

索取规格书在线询价

申请样品

HM20N06DPBX100 分类：合封MOSFET封装：PDFN3x3

极性: N+N
漏源电压: 60V
连续漏极电流(A): 20A
导通电阻@4.5V: 35mΩ
阈值电压(V): 1.6V
起订量: 5000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

BSS138DW 分类：合封MOSFET封装：SOT-363

极性: N+N
漏源电压: 50V
连续漏极电流(A): 0.3A
导通电阻@4.5V: 1600mΩ
阈值电压(V): 1V
起订量: 3000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM5002X100 分类：合封MOSFET封装：SOT-23-6L

极性: N+N
漏源电压: 50V
连续漏极电流(A): 0.5A
导通电阻@4.5V: 1600mΩ
阈值电压(V): 2V
起订量: 3000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM8N04P8X100 分类：合封MOSFET封装：SOP-8

极性: N+N
漏源电压: 40V
连续漏极电流(A): 8A
导通电阻@4.5V: 12mΩ
阈值电压(V): 1.6V
起订量: 2500
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM60N04PDY100 分类：合封MOSFET封装：PDFN5x6

极性: N+N
漏源电压: 40V
连续漏极电流(A): 60A
导通电阻@4.5V
阈值电压(V): 2.7V
起订量: 5000
替代参考: IAUC60N04S6L030H

索取规格书在线询价

申请样品

HM60N04PDX100 分类：合封MOSFET封装：PDFN5x6

极性: N+N
漏源电压: 40V
连续漏极电流(A): 60A
导通电阻@4.5V
阈值电压(V): 1.6V
起订量: 5000
替代参考: IPG20N04S4L-07A

索取规格书在线询价

申请样品

HM50N04PDX100 分类：合封MOSFET封装：PDFN5x6

极性: N+N
漏源电压: 40V
连续漏极电流(A): 50A
导通电阻@4.5V
阈值电压(V): 1.8V
起订量: 5000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM30N04PDX100 分类：合封MOSFET封装：PDFN5x6

极性: N+N
漏源电压: 40V
连续漏极电流(A): 31A
导通电阻@4.5V
阈值电压(V): 1.8V
起订量: 5000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM25N04PBX100 分类：合封MOSFET封装：PDFN3x3

极性: N+N
漏源电压: 40V
连续漏极电流(A): 25A
导通电阻@4.5V: 19mΩ
阈值电压(V): 1.6V
起订量: 5000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM22N04PBX100 分类：合封MOSFET封装：PDFN3x3

极性: N+N
漏源电压: 40V
连续漏极电流(A): 22A
导通电阻@4.5V: 10mΩ
阈值电压(V): 1.3V
起订量: 5000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM12N04PBX100 分类：合封MOSFET封装：PDFN3x3

极性: N+N
漏源电压: 40V
连续漏极电流(A): 12A
导通电阻@4.5V: 17.5mΩ
阈值电压(V): 1.6V
起订量: 5000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

HM8307X100 分类：合封MOSFET封装：SOT-23-6L

极性: N+N
漏源电压: 30V
连续漏极电流(A): 7A
导通电阻@4.5V: 20mΩ
阈值电压(V): 1.6V
起订量: 3000
替代参考

索取规格书在线询价

申请样品

合封MOSFET 参数档位一览

封装

取值	型号数
CSP	4
PDFN3x3	14
PDFN5x6	7
SOP-8	22
SOT-23-6L	11
SOT-363	3
TO-252-4L	7
TSSOP-8	10

极性

取值	型号数
N+N	46
N+P	23
P+P	9

替代参考

取值	型号数
BSO615C G	1
FDS4559	1
IAUC60N04S6L030H	1
IPG20N04S4L-07A	1
IPG20N06S2L	1
IRF7351	2