合封MOSFET 产品与规格书 - 第 5 页 | 超星半导体

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2N7002DW 分类：合封MOSFET封装：SOT-363

极性: N+N
漏源电压: 60V
连续漏极电流(A): 0.3A
导通电阻@4.5V: 2100mΩ
阈值电压(V): 1.9V
起订量: 3000
替代参考

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HM8N06P8X100 分类：合封MOSFET封装：SOP-8

极性: N+N
漏源电压: 60V
连续漏极电流(A): 8A
导通电阻@4.5V: 14mΩ
阈值电压(V): 1.5V
起订量: 2500
替代参考

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HM4828P8X100 分类：合封MOSFET封装：SOP-8

极性: N+N
漏源电压: 60V
连续漏极电流(A): 4.5A
导通电阻@4.5V
阈值电压(V): 2.1V
起订量: 2500
替代参考: IRF7351

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HM20N06PDX100 分类：合封MOSFET封装：PDFN5x6

极性: N+N
漏源电压: 60V
连续漏极电流(A): 20A
导通电阻@4.5V
阈值电压(V): 1.7V
起订量: 5000
替代参考: IPG20N06S2L

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HM20N06DPBX100 分类：合封MOSFET封装：PDFN3x3

极性: N+N
漏源电压: 60V
连续漏极电流(A): 20A
导通电阻@4.5V: 35mΩ
阈值电压(V): 1.6V
起订量: 5000
替代参考

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BSS138DW 分类：合封MOSFET封装：SOT-363

极性: N+N
漏源电压: 50V
连续漏极电流(A): 0.3A
导通电阻@4.5V: 1600mΩ
阈值电压(V): 1V
起订量: 3000
替代参考

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HM5002X100 分类：合封MOSFET封装：SOT-23-6L

极性: N+N
漏源电压: 50V
连续漏极电流(A): 0.5A
导通电阻@4.5V: 1600mΩ
阈值电压(V): 2V
起订量: 3000
替代参考

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HM8N04P8X100 分类：合封MOSFET封装：SOP-8

极性: N+N
漏源电压: 40V
连续漏极电流(A): 8A
导通电阻@4.5V: 12mΩ
阈值电压(V): 1.6V
起订量: 2500
替代参考

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合封MOSFET 参数档位一览

封装

取值	型号数
CSP	4
PDFN3x3	14
PDFN5x6	7
SOP-8	22
SOT-23-6L	11
SOT-363	3
TO-252-4L	7
TSSOP-8	10

极性

取值	型号数
N+N	46
N+P	23
P+P	9

替代参考

取值	型号数
BSO615C G	1
FDS4559	1
IAUC60N04S6L030H	1
IPG20N04S4L-07A	1
IPG20N06S2L	1
IRF7351	2