芯片失效分析

芯片失效分析是保障产品可靠性与提升良率的关键环节。面对芯片功能异常、短路、漏电或批量失效等挑战，我们依托系统化的分析流程、国际一流的硬件平台与资深专家团队，为客户提供从现象到根因的全方位失效分析解决方案，助力定位设计缺陷、工艺问题与应用故障，实现快速闭环与产品改进。

核心业务能力

我们提供覆盖芯片全生命周期的失效分析服务，包括：

• 电学特性验证：ATE测试、探针台测量、I-V曲线分析

• 非破坏性检测（NDA）：X-Ray/CT 2D/3D成像、红外热成像、超声波扫描（SAM）

• 破坏性物理分析（DPA）：化学/激光开封、FIB/SEM剖面、EDS元素分析

• 电路级失效定位：EMMI光子发射、OBIRCH激光诱导、电子束探针

• 材料与表面分析：SIMS、XPS、AFM等表面与成分表征

典型分析流程

我们遵循“由表及里、先非破坏后破坏”的系统化分析逻辑：

• 失效复现与电学定位: 基于失效背景与ATE测试，复现故障并锁定异常电性参数，缩小失效范围。

• 非破坏性内部检测: 通过X-Ray CT、热成像、SAM等技术，无损检测封装内部结构、热分布与界面缺陷。

• 微观物理分析与材料表征: 进行精准开封、FIB剖面制备，利用SEM/TEM观察纳米级缺陷，并通过EDS/SIMS分析成分与污染。

• 电路与器件级精确定位: 应用EMMI、OBIRCH等高精度定位技术，在晶体管或电路节点层面识别漏电、短路、断路等故障点。

• 根因诊断与改进建议: 结合电学-物理-材料数据，构建失效机理模型（如电迁移、HCI、ESD损伤等），并提供设计、工艺或应用端的改进方案。

技术特色与优势

• 高端设备平台：配备双束FIB、高分辨率SEM、3D X-Ray、全自动探针台等先进设备

• 跨工艺节点经验：涵盖从成熟制程到先进封装（Flip-Chip, SiP, Fan-Out）的失效分析案例

• 工程专家团队：由半导体物理、器件工程、材料科学背景的资深工程师主导项目

• 分析流程标准化：严格执行数据交叉验证与样品保护流程，确保分析结果准确可靠

典型应用场景

• 研发阶段：功能异常、参数漂移、可靠性测试失效

• 量产与封装：焊球空洞、线缆断裂、分层、污染相关失效

• 现场应用：过压/过流损伤、ESD/EOS事件、热疲劳失效

• 可靠性提升：HTOL、ELFR等测试中的早期失效分析与机理研究

为什么选择我们？

我们致力于将失效分析转化为产品竞争力的关键支撑。通过精准定位、快速响应与深度诊断，帮助客户缩短开发周期、提高良率、降低现场失效率，为芯片的全生命周期质量保驾护航。如需了解更多或洽谈合作，欢迎联系我们: info@hypersemi.com.cn