技术趋势
功率半导体行业的技术走向、路线演进与市场观察。
共 4 篇
技术趋势跟踪功率半导体的技术走向与市场观察:SiC 的应用渗透、封装形态的演进(如 62mm 模块平台)、高频化与功率密度竞赛,以及新基建、新能源等下游需求变化对器件路线的影响。
观察什么
- 材料路线:Si 与 SiC 在不同应用里的成本与性能拐点。
- 封装演进:模块标准化与定制化封装的产品组合动向。
- 应用牵引:光伏储能、充电设施与工业电源对器件规格的新要求。
怎么读这些文章
趋势文章不追热点词汇,而是回答「这对选型意味着什么」:哪类应用该开始评估 SiC、哪些规格正在成为主流、供应链上要提前注意什么。结合应用方案与选型指南一起读,判断能落到行动。
内容列表
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SIC肖特基二极管,如何提升开关电源设计能效和可靠性
新一代1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管采用混合PIN 肖特基(MPS)结构设计,具有高浪涌电流保护能力,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低,有助于提升开关电源设计能效和可靠性。
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碳化硅在“新基建”领域的典型应用
碳化硅属于第三代半导体材料之一,具备大功率、低损耗、高可靠、低散热等特点,可应用于1200伏特以上的高压、严苛环境,可广泛应用于风电、铁路等大型交通工具,及太阳能逆变器、不断电系统、智慧电网、电源供应器等高功率应用领域。碳化硅应用涵盖了新基建涉及的绝大部分领域。
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电源逆变器,IGBT单管和SiC MOS选型应用
电源逆变器里,IGBT 单管与 SiC MOSFET 各有舒适区:母线电压、开关频率与输出功率三个变量决定谁更划算。本文给出按工况选型的实操判断。
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62mm封装SiC模块产品组合,以行业优秀性能赋能下一代高功率系统
62mm 标准封装 SiC MOSFET 功率模块,覆盖 1200V/200~600A 与 1700V/200~400A 两大平台,面向光伏逆变、储能变流、工业驱动、电焊与感应加热等下一代高功率系统。