面向工业、能源及驱动应用的功率半导体解决方案的领先供应商。
CM65R180FX100 碳化硅MOS TO-252

碳化硅MOS CM65R180FX100

产品类别
碳化硅MOS
类目
SiC Mosfet
极性
N
封装
TO-252
漏源电压
650V
连续漏极电流
20A
导通电阻@25℃
180mΩ
起订量
10

产品介绍

CM65R180FX100-SiC Mosfet,
PKG: TO-252, Polarity: N, VDS: 650V, lD: 20A, RDS: 180mΩ.
应用领域:LED 电源、PD快充、驱动IC合封.
可提供规格书和测试样品, 留言或联系我们咨询价格和交期详情,谢谢.

规格书

CM65R180FX100_datasheet_V1.0.pdf CM65R180FX100 下载
更多规格书 →
展开预览 收起预览
1 / –