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CM120R160PEX100 碳化硅MOS PDFN8x8

碳化硅MOS CM120R160PEX100

产品类别
碳化硅MOS
类目
SiC Mosfet
极性
N
封装
PDFN8x8
漏源电压
1200V
连续漏极电流
20A
导通电阻@25℃
160mΩ
起订量
10

产品介绍

CM120R160PEX100-SiC Mosfet,
PKG: PDFN8x8, Polarity: N, VDS: 1200V, lD: 20A, RDS: 160mΩ.
应用领域:开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)、车载充电器、高压DC/DC转换器.
可提供规格书和测试样品, 留言或联系我们咨询价格和交期详情,谢谢.

规格书

CM120R160PEX100_datasheet_V1.0.pdf CM120R160PEX100 下载
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