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CM120R080SEX100 碳化硅MOS TO-263-7L

碳化硅MOS CM120R080SEX100

产品类别
碳化硅MOS
类目
SiC Mosfet
极性
N
封装
TO-263-7L
漏源电压
1200V
连续漏极电流
32A
导通电阻@25℃
80mΩ
起订量
10

产品介绍

CM120R080SEX100-SiC Mosfet,
PKG: TO-263-7L, Polarity: N, VDS: 1200V, lD: 32A, RDS: 80mΩ.
应用领域:开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)、车载充电器、高压DC/DC转换器.
可提供规格书和测试样品, 留言或联系我们咨询价格和交期详情,谢谢.

规格书

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