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CM120R080LX100 碳化硅MOS TO-247-3L

碳化硅MOS CM120R080LX100

产品类别
碳化硅MOS
类目
SiC Mosfet
极性
N
封装
TO-247-3L
漏源电压
1200V
连续漏极电流
36A
导通电阻@25℃
80mΩ
起订量
10

产品介绍

CM120R080LX100-SiC Mosfet,
PKG: TO-247-3L, Polarity: N, VDS: 1200V, lD: 36A, RDS: 80mΩ.
应用领域:充电桩、逆变器、电磁炉.
可提供规格书和测试样品, 留言或联系我们咨询价格和交期详情,谢谢.

规格书

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