产品简介
HMJ50N60TFX100 · 中压MOSFET (250~650V)。
经站内规格数据核对的关键参数包括：封装 TO-220F、栅源电压(V) ±30、漏极电流(A) 50、漏源电压(V) 600。
已核实的典型应用包括：工业自动化。
该型号的有效规格书已在本页提供，便于核对完整技术参数。
需要样品、选型建议或应用协助时，可在本页提交具体需求。
规格参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 漏源电压（V） | 600 |
| 漏极电流（A） | 50 |
| 导通电阻（mΩ） | 56 |
| 阈值电压（V） | 3 |
| 栅源电压（V） | ±30 |
| 工艺 | SJ |