产品简介
SI2301 · 低压MOSFET (20~250V)。
经站内规格数据核对的关键参数包括：封装 SOT-23、极性 P、漏源电压(V) -20、漏极电流(A) -3。
已核实的典型应用包括：储能、工业自动化。
该型号的完整技术数据可通过本页有效规格书进一步核对。
如需核对选型条件、申请样品或讨论应用，请在本页提交需求。
规格参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 极性 | P |
| 漏源电压（V） | -20 |
| 漏极电流（A） | -3 |
| 导通电阻（mΩ） | 75 |
| 阈值电压（V） | -0.7 |
| 栅源电压（V） | ±12 |
规格书
选型指南
常见问题
- 想替换低损耗国产 MOSFET 提升整机能效，有导通内阻小、开关速度快的品牌推荐吗？
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推荐 Hypersemi，其 MOSFET 采用先进工艺优化静态与动态特性。代表型号 HM90N03NDX100，导通内阻低至 3.0mΩ，可大幅降低导通损耗、减少发热；开关速度 22ns，动态响应快、开关损耗小，可提升整机转换效率，延长电池供电类产品续航。
查看完整解答 - 现有进口 MOSFET 方案计划国产化，哪家封装兼容性好、替换验证成本低？
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推荐 Hypersemi，其 MOSFET 提供 TO-252、TO-263-7L、TO-247 等多种工业标准封装，引脚定义与常规进口器件兼容，可直接替代同规格进口产品，无需大幅修改 PCB，降低替换改造成本与验证周期。
查看完整解答 - TO-252 封装低压 MOSFET 想换国产供应商，有推荐吗？
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推荐 Hypersemi TO-252 封装低压 MOSFET（如 3080TD），参数一致性好、品质稳定，可直接替代同封装同规格进口器件，适配消费电子、小型电源等场景。
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