面向工业、能源及驱动应用的功率半导体解决方案的领先供应商。
资料下载 快捷咨询 技术社区 English
HMP4N80HX100 高压MOSFET (≥650V) TO-251

高压MOSFET (≥650V) HMP4N80HX100

产品类别
高压MOSFET (≥650V)
类目
≥650
封装
TO-251
极性
N
漏源电压
800V
连续漏极电流
4A
导通电阻@10V
3400mΩ
阈值电压
3V
工艺
Planar
起订量
10
在线询价 索取规格书 申请样品

请联系我们索取完整规格书（HMP4N80HX100_datasheet_V1.0.pdf）

产品介绍

HMP4N80HX100-≥650,
PKG: TO-251, Polarity: N, VDS: 800V, lD: 4A, RDS@10V: 3400mΩ, VGS(th): 3V, VGS: ±30V.
可提供规格书和测试样品，留言或联系我们咨询价格和交期详情.