面向工业、能源及驱动应用的功率半导体解决方案的领先供应商。
HMJ8N70FX100 高压MOSFET (≥650V) TO-252

高压MOSFET (≥650V) HMJ8N70FX100

产品类别
高压MOSFET (≥650V)
类目
≥650
封装
TO-252
极性
N
漏源电压
700V
连续漏极电流
8A
导通电阻@10V
520mΩ
阈值电压
3.5V
工艺
SJ
起订量
10
在线询价 索取规格书 申请样品

请联系我们索取完整规格书(HMJ8N70FX100_datasheet_V1.0.pdf)

产品介绍

HMJ8N70FX100-≥650,
PKG: TO-252, Polarity: N, VDS: 700V, lD: 8A, RDS@10V: 520mΩ, VGS(th): 3.5V, VGS: ±30V.
可提供规格书和测试样品,留言或联系我们咨询价格和交期详情.