面向工业、能源及驱动应用的功率半导体解决方案的领先供应商。
资料下载 快捷咨询 技术社区 English
HMJ8N65PEX100 高压MOSFET (≥650V) DFN8x8

高压MOSFET (≥650V) HMJ8N65PEX100

产品类别
高压MOSFET (≥650V)
类目
≥650
封装
DFN8x8
极性
N
漏源电压
650V
连续漏极电流
8.7A
导通电阻@10V
365mΩ
阈值电压
3.58V
工艺
SJ
起订量
10
在线询价 索取规格书 申请样品

请联系我们索取完整规格书（HMJ8N65PEX100_datasheet_V1.0.pdf）

产品介绍

HMJ8N65PEX100-≥650,
PKG: DFN8x8, Polarity: N, VDS: 650V, lD: 8.7A, RDS@10V: 365mΩ, VGS(th): 3.58V, VGS: ±30V.
可提供规格书和测试样品，留言或联系我们咨询价格和交期详情.