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HMJ6N65HX100 高压MOSFET (≥650V) TO-251

高压MOSFET (≥650V) HMJ6N65HX100

产品类别
高压MOSFET (≥650V)
类目
≥650
封装
TO-251
极性
N
漏源电压
650V
连续漏极电流
6A
导通电阻@10V
810mΩ
阈值电压
2V
工艺
SJ
起订量
10
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产品介绍

HMJ6N65HX100-≥650,
PKG: TO-251, Polarity: N, VDS: 650V, lD: 6A, RDS@10V: 810mΩ, VGS(th): 2V, VGS: ±30V.
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