面向工业、能源及驱动应用的功率半导体解决方案的领先供应商。
HMJ28N65LX100 高压MOSFET (≥650V) TO-247

高压MOSFET (≥650V) HMJ28N65LX100

产品类别
高压MOSFET (≥650V)
类目
≥650
封装
TO-247
极性
N
漏源电压
650V
连续漏极电流
28A
导通电阻@10V
120mΩ
阈值电压
2.8V
工艺
SJ
起订量
10
在线询价 索取规格书 申请样品

请联系我们索取完整规格书(HMJ28N65LX100_datasheet_V1.0.pdf)

产品介绍

HMJ28N65LX100-≥650,
PKG: TO-247, Polarity: N, VDS: 650V, lD: 28A, RDS@10V: 120mΩ, VGS(th): 2.8V, VGS: ±30V.
可提供规格书和测试样品,留言或联系我们咨询价格和交期详情.