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HMJ11N80FX100 高压MOSFET (≥650V) TO-252

高压MOSFET (≥650V) HMJ11N80FX100

产品类别
高压MOSFET (≥650V)
类目
≥650
封装
TO-252
极性
N
漏源电压
800V
连续漏极电流
11A
导通电阻@10V
350mΩ
阈值电压
3V
工艺
SJ
起订量
10
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产品介绍

HMJ11N80FX100-≥650,
PKG: TO-252, Polarity: N, VDS: 800V, lD: 11A, RDS@10V: 350mΩ, VGS(th): 3V, VGS: ±30V.
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