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SIC肖特基二极管,如何提升开关电源设计能效和可靠性
2025-10-15 16:34:00
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Rectifier
新一代1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管采用混合PIN 肖特基(MPS)结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。
由于采用MPS结构--利用激光退火背面减薄技术--二极管电容电荷低至28nC，正向压降减小为1.35V。此外，器件25℃下典型反向漏电流仅为2.5μA，因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
碳化硅二极管典型应用包括FBPS和LLC转换器AC/DC功率因数校正(PFC)和DC/DC超高频输出整流，适用于光伏逆变器、储能系统、工业驱动器和工具、数据中心等。
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lYNVta9cvsDUfIN
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2025-10-24 14:49:24
测试👍
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ATocGOaX4U2WPrU
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2025-11-28 11:05:41
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