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珠海超星半导体有限公司是一家致力于功率半导体器件与模块设计研发的前沿科技企业。公司以电力驱动与能源管理创新为核心,专注IGBT,功率Mosfet, 功率模块,碳化硅产品技术创新,致力于提供赋能未来能源与交通变革的高性能解决方案及产品。
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MOSFET
低压MOSFET (20~250V)
HMT18N20TFX100
类目:20~250V
封装:TO-220F
极性:N
漏源电压:200V
连续漏极电流:18A
导通电阻:100mΩ
阈值电压:2V
起订量:50
工艺:Trench
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商品介绍
HMT18N20TFX100-20~250V, PKG: TO-220F, Polarity: N, VDS: 200V, lD: 18A, RDS: 100mΩ.
可提供规格书和测试样品,留言或联系我们咨询价格和交期详情.
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