HM8616F4X100-Multiple Mos-N+P-60;-60V-16;-16A-TO-252-4L

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HM8616F4X100

类目：Multiple Mos

封装：TO-252-4L

极性：N+P

漏源电压：60;-60V

连续漏极电流：16;-16A

导通电阻：13mΩ;75mΩ

阈值电压：2V;-1.8V

起订量：2500

替代参考：-

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商品介绍

HM8616F4X100-Multiple Mos, PKG: TO-252-4L, Polarity: N+P, VDS: 60;-60V, lD: 16;-16A, Rds@10V: 10mΩ;55mΩ, Rds@4.5V: 13mΩ;75mΩ.
可提供规格书和测试样品，留言或联系我们咨询价格和交期详情.

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