HM4D06NPX100 - Multiple MOS - 60V;-60V - 5A;-3.8A - DFN3.3x3.3

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HM4D06NPX100

类目：Multiple MOS

封装：DFN3.3x3.3

极性：N+P

漏源电压VDS：60V;-60V

漏极电流ID：5A;-3.8A

电阻Rds@4.5V：-

阈值电压VGS(th)：1.6V;-2V

栅源电压VGS：-

起订量：5000

替代参考：Infineon-BSO615C G

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商品介绍

HM4D06NPX100 - Multiple MOS, PKG: DFN3.3x3.3, Polarity: N+P, VDS: 60V;-60V, lD: 5A;-3.8A, VGS(th): 1.6V;-2V, MOQ: 5000. 可提供规格书和测试样品，留言或联系我们咨询价格和交期详情.

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