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商品介绍
HM2310NBX100 - Multiple MOS, PKG: DFN2x3, Polarity: N+N, VDS: 18V, lD: 7A, Rds@4.5V: 14mΩ, VGS(th): 0.7V, VGS: ±12V, MOQ: 3000. 可提供规格书和测试样品，留言或联系我们咨询价格和交期详情.
应用领域：3C数码电池.
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