CM11N65TFX100-SiC Mosfet-650V-11A-TO-220F-3L

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CM11N65TFX100

类目：SiC Mosfet

封装：TO-220F

极性：N

漏源电压：650V

连续漏极电流：11A

导通电阻：380mΩ

阈值电压：-

起订量：50

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商品介绍

CM11N65TFX100-SiC Mosfet, PKG: TO-220F-3L, Polarity: N, VDS: 650V, lD: 11A, Rds: 380mΩ, MOQ: 50. 可提供规格书和测试样品，留言或联系我们咨询价格和交期详情. 应用领域：LED电源、PD快充、驱动IC合封.

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